Introdução
O módulo IGBT Semikron SEMiX302GB12Vs, com sua configuração de ponte de meia onda (Half Bridge), é ideal para topologias que exigem alta capacidade de comutação e robustez. Sua capacidade de operar com tensão de coletor-emissor de 1200V e corrente de coletor de 300A o torna adequado para aplicações que demandam alta potência, como inversores de frequência e fontes de alimentação.
Este módulo é projetado para oferecer excelente desempenho em ambientes de alta exigência, com destaque para sua robustez térmica, permitindo operar com temperatura de junção máxima de 175°C. O encapsulamento SEMiX 2s otimiza a dissipação de calor, garantindo confiabilidade e longa vida útil mesmo sob condições extremas de operação.
Especificações
- Tecnologia: IGBT Trench de última geração
- Tensão de Colector-Emissor (Vces): 1200V
- Corrente de Colector (Ic): 300A
- Configuração: Ponte de Meia Onda (Half Bridge)
- Encapsulamento: SEMiX 2s (117x64x17 mm)
- Tempo de comutação: Rápido, ideal para aplicações de alta frequência
- Temperatura de Junção Máxima (Tj): 175°C
- Isolamento: Elevado isolamento entre potência e controle
- Proteção: Proteção contra curto-circuito e sobretensão
Compatibilidade e aplicações
O SEMiX302GB12Vs é uma escolha excelente para inversores de frequência utilizados em acionamentos de motores industriais e sistemas de UPS (Fontes de Alimentação Ininterruptas). Além disso, pode ser empregado em aplicações de tração, oferecendo alta performance e confiabilidade.
Referência do fabricante
Datasheet (PDF)
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