Módulo IGBT Semikron SKM200GB12F4SiC3
O módulo IGBT SKM200GB12F4SiC3 da Semikron é uma solução otimizada para aplicações que exigem alta potência e desempenho. Sua configuração em meia ponte e encapsulamento SEMITRANS 3 o tornam ideal para topologias comuns em inversores de frequência e conversores DC-AC. A combinação de diodos SiC e IGBTs de 4ª geração Fast Trench (Infineon) garante baixas perdas de comutação e alta eficiência energética.
Com capacidade de operar em 1200V e 200A, o SKM200GB12F4SiC3 oferece robustez térmica graças à base de cobre isolada com tecnologia DBC, permitindo o uso em ambientes industriais desafiadores. Os resistores de gate integrados e os diodos Schottky de carboneto de silício (ROHM) otimizam o desempenho e a confiabilidade do sistema.
Especificações
| Característica | Especificação |
|---|---|
| Tecnologia | Diodo SiC + IGBT 4ª geração Fast Trench (Infineon) |
| Tensão coletor-emissor (VCE) | 1200V |
| Corrente de coletor nominal (ICnom) | 200A |
| Configuração | Meia ponte |
| Encapsulamento | SEMITRANS 3 (106x62x31 mm) |
| Base | Base de cobre isolada com tecnologia DBC (Direct Bonded Copper) |
| Recursos adicionais | Resistor de gate integrado, diodos Schottky de carboneto de silício (ROHM) |
Compatibilidade e aplicações
O SKM200GB12F4SiC3 é amplamente utilizado em inversores de frequência para acionamentos de motores, sistemas de alimentação ininterrupta (UPS) e fontes de alimentação industriais. Sua alta capacidade de corrente e tensão, combinada com a eficiência e robustez, o tornam uma excelente escolha para aplicações de alta potência.
Referência do fabricante
Disponível sob consulta.
Datasheet (PDF)
Não fornecido.
