Introdução
O módulo IGBT SEMiX303GD12E4c da Semikron é otimizado para topologias trifásicas, como pontes completas em inversores de frequência e conversores de potência. Sua robustez térmica, com temperatura de junção de -40°C a +150°C, assegura operação confiável mesmo em ambientes industriais exigentes. A configuração “Six Pack” (seis transistores IGBT e diodos integrados) simplifica o design de sistemas e maximiza a densidade de potência.
Projetado para aplicações que demandam alta performance, o SEMiX303GD12E4c incorpora recursos de proteção contra curto-circuito, sobretensão e sobretemperatura, protegendo o equipamento e aumentando a vida útil do sistema. Sua capacidade de lidar com correntes de até 300A o torna adequado para acionamentos de motores de grande porte e sistemas de energia de alta capacidade.
Este módulo é a escolha ideal para quem busca eficiência, confiabilidade e facilidade de integração em sistemas de potência trifásicos.
Especificações
| Especificação | Valor |
|---|---|
| Tecnologia | IGBT 4 (Trench) |
| Tensão de Coleletor-Emissor (VCES) | 1200 V |
| Corrente de Coleletor (IC) | 300 A |
| Configuração | Six Pack (3 pares de IGBTs e diodos) |
| Encapsulamento | SEMiX 33c (150x163x17 mm) |
| Temperatura de Junção (Tj) | -40°C a +150°C |
| Recursos de Proteção | Proteção contra curto-circuito, proteção contra sobretensão, proteção contra sobretemperatura |
Compatibilidade e aplicações
O módulo SEMiX303GD12E4c é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência para controle de motores.
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS).
- Conversores de potência para diversas aplicações industriais.
Referência do fabricante
Datasheet (PDF)
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