Módulo IGBT Semikron SKM200GAL12F4SiC3
O módulo IGBT SKM200GAL12F4SiC3 da Semikron é uma solução avançada para aplicações que exigem alta eficiência e desempenho. Sua arquitetura single switch e a combinação de IGBTs Trench com diodos SiC resultam em perdas reduzidas de comutação e maior eficiência energética, tornando-o adequado para topologias como conversores boost e inversores trifásicos. A robustez térmica, com temperatura de junção máxima de 175°C, garante operação confiável mesmo em condições extremas.
O encapsulamento SEMITRANS 3 (106x62x31) facilita a integração em diversos sistemas, proporcionando uma solução compacta e de alta performance.
Especificações
| Característica | Valor |
|---|---|
| Tecnologia | Diodo SiC + IGBT 4 rápido (Trench) |
| Configuração | Single Switch |
| Tensão coletor-emissor (VCE) | 1200 V |
| Corrente de coletor (IC) | 200 A |
| Pacote | SEMITRANS 3 (106x62x31) |
| Status do produto | Em produção |
Compatibilidade e aplicações
O SKM200GAL12F4SiC3 é ideal para aplicações como inversores solares, sistemas de UPS (Fontes de Alimentação Ininterruptas) e fontes industriais de alta potência. Sua alta capacidade de corrente e eficiência energética o tornam uma excelente escolha para projetos que buscam otimizar o desempenho e a confiabilidade.
Referência do fabricante
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Datasheet (PDF)
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