Módulo IGBT Semikron SKM150GB17E4G
O módulo IGBT SKM150GB17E4G da Semikron é projetado para otimizar o desempenho em sistemas de alta potência. Sua configuração em meia ponte facilita a implementação em inversores de frequência e outras topologias de comutação. A robustez térmica, com temperatura de junção de -40°C a +175°C, garante operação confiável em ambientes desafiadores.
Este módulo utiliza a tecnologia IGBT 4 (Trench) de quarta geração, combinada com diodos de roda livre ultra-rápidos, minimizando perdas e elevando a eficiência em aplicações que exigem alta performance.
Especificações
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Tecnologia | IGBT 4 (Trench) |
| Tensão Coletor-Emissor (VCES) | 1700V |
| Corrente de Coletor (IC) | 150A |
| Configuração | Meia Ponte |
| Encapsulamento | SEMITRANS 3 (106x62x31) |
| Diodo de Roda Livre | Ultra-rápido |
| Temperatura de Junção (Tj) | -40°C a +175°C |
| Isolamento | Base de cobre com DBC |
Compatibilidade e aplicações
O SKM150GB17E4G é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de tração
Essas aplicações se beneficiam da alta capacidade de comutação e da robustez do módulo.
Referência do fabricante
Não disponível.
Datasheet (PDF)
Não disponível.
