Módulo IGBT Semikron SKM150GB12VG
O módulo IGBT SKM150GB12VG da Semikron é uma solução robusta para aplicações que exigem alta performance e confiabilidade. Este componente é especialmente adequado para topologias de meia ponte, oferecendo 1200V de tensão de bloqueio e 150A de corrente nominal. Sua construção, com invólucro SEMITRANS 3, e a robustez térmica garantem a operação eficiente em ambientes desafiadores.
A tecnologia V-IGBT de 6ª geração, combinada com o diodo CAL4 de comutação suave, minimiza as perdas de comutação e otimiza a eficiência energética. O resistor de porta integrado simplifica o design do circuito e facilita a implementação em diversas aplicações.
Especificações
| Característica | Especificação |
|---|---|
| Número da peça | SKM150GB12VG |
| Tecnologia | V-IGBT (6ª geração Trench V-IGBT Fuji) |
| Configuração | Meia ponte |
| Tensão de bloqueio coletor-emissor (VCES) | 1200V |
| Corrente de coletor nominal (ICnom) | 150A |
| Diodo | CAL4 (4ª geração CAL-diodo de comutação suave) |
| Resistor de porta integrado | Sim |
| Invólucro | SEMITRANS 3 (106x62x31 mm) |
| Certificação | UL (arquivo nº E63532) |
Compatibilidade e aplicações
O SKM150GB12VG é uma excelente opção para inversores de frequência, sistemas UPS (fontes de alimentação ininterruptas) e aplicações de fontes industriais que demandam alta performance. Sua capacidade de operar em altas correntes e tensões o torna ideal para diversas aplicações de potência.
Referência do fabricante
Não disponível.
Datasheet (PDF)
Não disponível.
