Módulo IGBT Semikron SKM100GB07E3
O módulo IGBT SKM100GB07E3 da Semikron é projetado para aplicações exigentes de eletrônica de potência, oferecendo alta confiabilidade e eficiência. Sua configuração de meia ponte e tecnologia Trench IGBT 3 o tornam adequado para diversas topologias de inversores e conversores. O SKM100GB07E3 se destaca pela sua capacidade de lidar com correntes de até 100A e tensão de 650V, garantindo desempenho consistente em sistemas de alta potência. Sua robustez térmica, com temperatura de junção de -40°C a +175°C, permite operação em ambientes industriais desafiadores.
Este módulo incorpora resistor de gate integrado e isolamento com base de cobre e tecnologia DCB, otimizando a comutação e a segurança do sistema.
Especificações
| Característica | Especificação |
|---|---|
| Tecnologia | IGBT 3 (Trench) |
| Configuração | Meia Ponte |
| Tensão Coletor-Emissor (VCES) | 650V |
| Corrente de Coletor Nominal (ICnom) | 100A |
| Invólucro | SEMITRANS 2 (94x34x30 mm) |
| Temperatura de Junção (Tj) | -40°C a +175°C |
| Resistor de Gate Integrado | Sim |
| Isolamento | Base de cobre isolada com tecnologia DCB |
Compatibilidade e Aplicações
O módulo IGBT SKM100GB07E3 é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de tração
Referência do fabricante
Informações não disponíveis.
Datasheet (PDF)
Informações não disponíveis.
