Módulo IGBT Semikron SKiiP38GAL12E4V1
O módulo IGBT SKiiP38GAL12E4V1 da Semikron é projetado para otimizar o desempenho em conversores de frequência trifásicos, inversores de alta potência e aplicações que exigem alta densidade de potência e robustez. Sua topologia de meia ponte e a tecnologia IGBT Trench de 4ª geração permitem operar com tensões de bloqueio de até 1200V e correntes nominais de 300A, suportando frequências de chaveamento elevadas. A robustez térmica, com temperatura de junção operacional de -40°C a 150°C, assegura confiabilidade em condições ambientais adversas.
O encapsulamento MiniSKiiP II 3 otimiza o espaço, facilitando a integração em sistemas compactos. As características de proteção, como a proteção contra curto-circuito e sobretensão, aumentam a segurança e a vida útil do sistema.
Especificações
| Característica | Especificação |
|---|---|
| Tecnologia | IGBT Trench de 4ª geração |
| Configuração | Meia ponte |
| Tensão de bloqueio coletor-emissor (VCES) | 1200V |
| Corrente de coletor nominal (ICnom) | 300A |
| Frequência de chaveamento | Alta frequência |
| Tempo de desligamento (tf) | Curto |
| Perdas de condução | Baixas |
| Encapsulamento | MiniSKiiP II 3 (82x59x16 mm) |
| Montagem | Parafusos |
| Temperatura de junção operacional (Tj) | -40°C a 150°C |
| Características de proteção | Proteção contra curto-circuito e sobretensão |
Compatibilidade e aplicações
O módulo SKiiP38GAL12E4V1 é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência para acionamentos de motor.
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS).
- Sistemas de tração.
Referência do fabricante
Disponível sob consulta.
Datasheet (PDF)
Consulte a documentação técnica para informações detalhadas.
