Introdução
O módulo IGBT SK25GD12T7ETE1 da Semikron é projetado para aplicações de alta potência, destacando-se em topologias como pontes trifásicas e conversores de frequência. Sua capacidade de operar com uma tensão de coletor-emissor de 1200V e uma corrente de coletor de 25A o torna adequado para sistemas que exigem alta capacidade de comutação. A robustez térmica, com faixa de temperatura de junção de -40°C a 150°C, garante confiabilidade em ambientes industriais desafiadores.
Este módulo é otimizado para aplicações que demandam baixas perdas de potência e alta eficiência. O encapsulamento SEMITOP E1 facilita a integração em diversos projetos, oferecendo uma solução compacta e de fácil montagem. A tecnologia IGBT T7 empregada garante um desempenho superior em termos de velocidade de comutação e proteção contra curto-circuito.
Especificações
| Especificação | Valor |
|---|---|
| Tecnologia | IGBT T7 |
| Configuração | Six Pack |
| Tensão de coletor-emissor (VCES) | 1200V |
| Corrente de coletor (IC) | 25A |
| Encapsulamento | SEMITOP E1 (63x34x12) |
| Temperatura de junção | -40°C a 150°C |
Compatibilidade e aplicações
O módulo SK25GD12T7ETE1 é amplamente utilizado em inversores de frequência para acionamento de motores, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e aplicações de tração. Sua alta capacidade de comutação e robustez o tornam ideal para sistemas que exigem alta confiabilidade e eficiência energética.
Referência do fabricante
Não disponível.
Datasheet (PDF)
Não disponível.
