Especificações
- Tensão de Coleletor-Emissor (VCES): 1200V
- Corrente de Coleletor (IC): 450A
- Configuração: Ponte de Meia Onda (Half Bridge)
- Tecnologia: IGBT Trench com chip V-IGBT
- Encapsulamento: SEMiX 3p (150x62x17 mm)
- Montagem: Parafuso
- Temperatura de Junção (Tj): -40°C a 150°C
Compatibilidade e aplicações
O módulo SEMiX453GB12Vp é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência para motores AC
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de tração
- Fontes de alimentação industriais
Referência do fabricante
Datasheet (PDF)
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