Módulo IGBT Semikron SEMiX303GB12E4I50p
Introdução
O SEMiX303GB12E4I50p é um módulo IGBT trifásico de ponte completa da Semikron, otimizado para aplicações de alta potência. Este módulo é especialmente adequado para inversores de frequência que exigem alta capacidade de corrente e resposta rápida. A tecnologia Trench 4 empregada no SEMiX303GB12E4I50p minimiza as perdas de comutação, tornando-o ideal para sistemas que buscam alta eficiência energética. Sua robustez térmica e o encapsulamento SEMiX 3p shunt o tornam perfeito para ambientes industriais severos.
A configuração de ponte completa trifásica do SEMiX303GB12E4I50p o torna uma escolha confiável para aplicações que exigem controle preciso de potência e desempenho superior em uma ampla gama de condições operacionais. A presença do resistor shunt integrado facilita o monitoramento preciso da corrente, contribuindo para a segurança e a eficiência do sistema.
Especificações
- Tensão de Colecionador-Emissor (VCES): 1200V
- Corrente de Colecionador Nominal (ICnom): 300A
- Tecnologia: IGBT 4 (Trench)
- Configuração: Ponte completa trifásica
- Encapsulamento: SEMiX 3p shunt (150x62x17 mm)
- Resistor shunt para detecção de corrente
- Compatível com pinos de pressão para contatos auxiliares
- Temperatura de Junção (Tj): -40°C a 175°C
Compatibilidade e aplicações
O SEMiX303GB12E4I50p é uma solução excelente para diversas aplicações, incluindo:
- Inversores de frequência para motores AC
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Conversores em sistemas de tração
Referência do fabricante
(URL não fornecida)
Datasheet (PDF)
(Datasheet não fornecido)
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