Introdução
O módulo IGBT SEMiX302GB17E4s da Semikron é projetado para otimizar o desempenho em diversas topologias de inversores e conversores. Sua configuração em meia ponte, combinada com a tecnologia IGBT 4 (Trench), o torna ideal para aplicações que exigem alta eficiência e baixo ruído de comutação. A robustez térmica, garantida pela baixa resistência térmica junção-caixa, assegura uma operação confiável mesmo sob cargas pesadas e em temperaturas elevadas, ampliando a vida útil do equipamento.
Este módulo opera com uma tensão de coleletor-emissor de 1700V e suporta uma corrente de coleletor de 300A, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações de alta potência. O encapsulamento SEMiX 2s (117x64x17) facilita a integração em sistemas compactos, enquanto os tempos de ligação e desligamento otimizados contribuem para uma comutação rápida e eficiente.
Especificações
- Tensão de Coleletor-Emissor (VCES): 1700V
- Corrente de Coleletor (IC): 300A
- Configuração: Meia Ponte
- Tecnologia: IGBT 4 (Trench)
- Encapsulamento: SEMiX 2s (117x64x17)
- Temperatura de Junção (Tj): -40°C a 150°C
- Resistência Térmica Junção-Caixa (Rth(j-c)): 0.083 K/W (por IGBT)
- Tempo de Desligamento (td(off)): 840ns (típ.)
- Tempo de Ligação (td(on)): 380ns (típ.)
Compatibilidade e aplicações
O módulo SEMiX302GB17E4s é amplamente utilizado em inversores de frequência para acionamento de motores, sistemas de UPS (fontes de alimentação ininterruptas) e fontes industriais de alta potência. Sua capacidade de lidar com altas correntes e tensões, juntamente com sua eficiência, o torna uma escolha confiável em aplicações que exigem desempenho e durabilidade.
Referência do fabricante
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Datasheet (PDF)
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