Módulo IGBT Semikron SEMiX302GB12E4s
O SEMiX302GB12E4s é um módulo IGBT de alta potência da Semikron, projetado para aplicações que exigem alta capacidade de corrente e robustez. Sua configuração em ponte de meia onda e tecnologia IGBT 4 (Trench) o tornam ideal para topologias de conversão de energia eficientes. Com uma tensão coletor-emissor (VCES) de 1200V e corrente de coletor nominal (ICnom) de 300A, este módulo é adequado para aplicações de média a alta potência.
A robustez térmica é um ponto forte do SEMiX302GB12E4s, com uma temperatura máxima da junção (Tj) de 175°C e temperatura máxima da caixa (Tc) de 125°C, permitindo operação confiável em ambientes desafiadores. O encapsulamento SEMiX 2s (117x64x17 mm) facilita a integração em diversos sistemas, otimizando o espaço e a dissipação de calor.
Especificações
- Número da peça: 27890120
- Tecnologia: IGBT 4 (Trench)
- Configuração: Ponte de meia onda
- Tensão coletor-emissor (VCES): 1200V
- Corrente de coletor nominal (ICnom): 300A
- Temperatura máxima da junção (Tj): 175°C
- Temperatura máxima da caixa (Tc): 125°C
- Encapsulamento: SEMiX 2s (117x64x17 mm)
- Peso: 0.236 kg
Compatibilidade e aplicações
O módulo SEMiX302GB12E4s é amplamente utilizado em:
- Inversores para acionamento de motores
- Sistemas de fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Aplicações de tração
Referência do fabricante
Não disponível.
Datasheet (PDF)
Não disponível.
