Módulo Transistor IGBT Fuji 2DI150Z-100
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O 2DI150Z-100 é um módulo transistor bipolar de porta isolada (IGBT) de alta potência e alta velocidade, projetado para aplicações de comutação em inversores, conversores, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e outras aplicações industriais que exigem alta eficiência e confiabilidade.
Especificações Técnicas do Fuji 2DI150Z-100:
- Tensão coletor-emissor (VCES): 1000V
- Corrente coletor (IC): 150A
- Dissipação de potência (PD): 400W
- Tempo de subida (tr): 25ns
- Tempo de descida (tf): 35ns
- Frequência de chaveamento (fsw): 20kHz
- Temperatura de operação (Tj): -40°C a 150°C
- Encapsulamento: Módulo de seis pinos
Características do Módulo IGBT 2DI150Z-100:
O módulo transistor 2DI150Z-100 oferece uma série de vantagens, incluindo:
- Alta capacidade de corrente e tensão
- Baixas perdas de comutação
- Alta velocidade de comutação
- Excelente desempenho térmico
- Alta confiabilidade e durabilidade
Aplicações do Transistor 2DI150Z-100:
Este módulo transistor é ideal para uma variedade de aplicações, tais como:
- Inversores de frequência
- Conversores CA-CC e CC-CA
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de aquecimento por indução
- Soldagem a arco
- Controle de motor
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Observação: As especificações podem variar. Consulte a folha de dados do produto para obter informações mais detalhadas.
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