Módulo IGBT Semikron SEMiX101GD12E4s
O módulo IGBT SEMiX101GD12E4s da Semikron é projetado para otimizar o desempenho em diversas aplicações de conversão de energia. Sua configuração “Six Pack” e tecnologia Trench IGBT de 4ª geração o tornam ideal para topologias trifásicas, oferecendo eficiência superior e menores perdas por comutação. A robustez térmica do encapsulamento SEMiX 13, com baixa resistência térmica, garante operação confiável em ambientes com temperaturas elevadas.
Projetado para operar com tensões de até 1200V e correntes de até 100A, o SEMiX101GD12E4s é uma solução de alta potência para projetos exigentes. A sua construção permite a operação em uma faixa de temperatura de junção de -40°C a +125°C, garantindo versatilidade e confiabilidade em uma ampla gama de aplicações.
Especificações
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Tensão de Coleletor-Emissor (VCES) | 1200 V |
| Corrente de Coleletor (IC) | 100 A |
| Configuração | Six Pack (3 pares IGBT + Diodo) |
| Tecnologia | IGBT 4 (Trench) |
| Encapsulamento | SEMiX 13 (138 x 71 x 17 mm) |
| Temperatura de Junção (Tj) | -40°C a +125°C |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.27 °C/W |
| Isolamento | 4000 V |
Compatibilidade e aplicações
O SEMiX101GD12E4s é amplamente utilizado em inversores trifásicos para controle de motores, sistemas de UPS (Fontes de Alimentação Ininterruptas) e conversores para sistemas de tração. Sua alta capacidade de corrente e tensão, combinada com a eficiência da tecnologia Trench IGBT, o torna uma escolha confiável para aplicações que exigem alto desempenho e robustez.
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