Módulo IGBT Semikron SEMiX202GB12E4s
O módulo IGBT SEMiX202GB12E4s da Semikron é projetado para aplicações exigentes, oferecendo uma solução robusta em diversas topologias de circuitos de potência. Com sua tecnologia IGBT 4 (Trench), este módulo é ideal para sistemas que demandam alta confiabilidade e desempenho. Sua capacidade de operar com uma temperatura de junção máxima de 175°C e a alta capacidade de curto-circuito garantem uma operação segura em condições adversas.
O design do SEMiX202GB12E4s, com homogeneidade de silício e coeficiente de temperatura positivo para VCE(sat), otimiza o desempenho em diversas aplicações. O invólucro SEMiX 2s proporciona facilidade de integração em projetos compactos e eficientes. Sua construção permite o uso em topologias de ponte completa, adequando-se a variadas configurações de conversores.
Especificações
| Especificação | Valor |
|---|---|
| Número da peça | SEMiX202GB12E4s |
| Tipo de módulo | Ponte completa |
| Tecnologia | IGBT 4 (Trench) |
| Tensão coletor-emissor (VCES) | 1200 V |
| Corrente de coletor (IC) | 200 A |
| Invólucro | SEMiX 2s (117x64x17 mm) |
| Temperatura de junção máxima (Tj) | 175 °C |
Compatibilidade e Aplicações
O módulo SEMiX202GB12E4s é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência para acionamentos de motores.
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS).
- Sistemas de tração.
Referência do fabricante
Disponível sob consulta.
Datasheet (PDF)
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