Módulo IGBT Semikron SKM75GB17E4
O módulo SKM75GB17E4 da Semikron é projetado para atender às demandas de aplicações de alta potência, oferecendo desempenho e confiabilidade. Sua arquitetura de meia ponte e tecnologia IGBT 4 (Trench) o tornam ideal para diversas topologias de inversores e conversores.
Com uma tensão coletor-emissor (VCES) de 1700V e corrente de coletor nominal (ICnom) de 75A, este módulo é adequado para aplicações que exigem alta capacidade de comutação. A robustez térmica, aliada à base de cobre isolada com tecnologia DBC (Direct Copper Bonding), assegura operação estável mesmo em condições exigentes. O resistor de gate integrado simplifica o design e a implementação.
O SKM75GB17E4 é otimizado para aplicações que requerem alta eficiência e durabilidade, combinando tecnologia avançada com um design compacto e fácil de integrar.
Especificações
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de Módulo | Meia ponte |
| Tecnologia IGBT | IGBT 4 (Trench) |
| Tensão Coletor-Emissor (VCES) | 1700V |
| Corrente de Coletor Nominal (ICnom) | 75A |
| Frequência de Chaveamento | Até 8kHz |
| Invólucro | SEMITRANS 2 (94x34x30 mm) |
| Diodo | CAL4 de comutação suave de 4ª geração |
| Base | Base de cobre isolada com tecnologia DBC (Direct Copper Bonding) |
| Resistor de Gate | Integrado |
| Certificação | UL (arquivo nº E63532) |
Compatibilidade e Aplicações
O SKM75GB17E4 é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de tração
Referência do fabricante
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Datasheet (PDF)
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