Semikron SEMiX302GB12E4s – Módulo IGBT de Alta Potência
Procurando por um módulo IGBT confiável e de alto desempenho para sua aplicação industrial? Apresentamos o Semikron SEMiX302GB12E4s, um componente de potência que oferece excelente performance e eficiência.
Especificações Técnicas do Semikron SEMiX302GB12E4s:
- Número da peça: 27890120
- Tecnologia: IGBT 4 (Trench)
- Configuração: Ponte de meia onda
- Tensão coletor-emissor (VCES): 1200V
- Corrente de coletor nominal (ICnom): 300A
- Temperatura máxima da junção (Tj): 175°C
- Temperatura máxima da caixa (Tc): 125°C
- Encapsulamento: SEMiX 2s (117x64x17 mm)
- Peso: 0.236 kg
- Características:
- Homogeneous Si
- Tecnologia Trenchgate
- VCE(sat) com coeficiente de temperatura positivo
- Alta capacidade de curto-circuito
- Reconhecido pela UL, arquivo nº E63532
Aplicações do Semikron SEMiX302GB12E4s:
O Semikron SEMiX302GB12E4s é ideal para uma variedade de aplicações de alta potência, incluindo:
- Conversores de frequência
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de energia solar
- Acionamentos de motor
- Soldagem
- Aquecimento por indução
Benefícios do Semikron SEMiX302GB12E4s:
Ao escolher o Semikron SEMiX302GB12E4s, você se beneficia de:
- Alta confiabilidade e robustez: Construído com tecnologia de ponta e materiais de alta qualidade, o SEMiX302GB12E4s garante operação confiável mesmo em condições exigentes.
- Excelente desempenho: Com baixa perda de comutação e alta eficiência, o módulo contribui para a redução do consumo de energia e aumento da vida útil do sistema.
- Design compacto: O encapsulamento SEMiX 2s oferece alta densidade de potência em um formato compacto, facilitando a integração em seus projetos.
- Facilidade de uso: O módulo é projetado para fácil instalação e manuseio, simplificando o processo de montagem.
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