Semikron SEMiX302GB12E4s

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Semikron SEMiX302GB12E4s

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Semikron SEMiX302GB12E4s – Módulo IGBT de Alta Potência

Procurando por um módulo IGBT confiável e de alto desempenho para sua aplicação industrial? Apresentamos o Semikron SEMiX302GB12E4s, um componente de potência que oferece excelente performance e eficiência.

Especificações Técnicas do Semikron SEMiX302GB12E4s:

  • Número da peça: 27890120
  • Tecnologia: IGBT 4 (Trench)
  • Configuração: Ponte de meia onda
  • Tensão coletor-emissor (VCES): 1200V
  • Corrente de coletor nominal (ICnom): 300A
  • Temperatura máxima da junção (Tj): 175°C
  • Temperatura máxima da caixa (Tc): 125°C
  • Encapsulamento: SEMiX 2s (117x64x17 mm)
  • Peso: 0.236 kg
  • Características:
    • Homogeneous Si
    • Tecnologia Trenchgate
    • VCE(sat) com coeficiente de temperatura positivo
    • Alta capacidade de curto-circuito
    • Reconhecido pela UL, arquivo nº E63532

Aplicações do Semikron SEMiX302GB12E4s:

O Semikron SEMiX302GB12E4s é ideal para uma variedade de aplicações de alta potência, incluindo:

  • Conversores de frequência
  • Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
  • Sistemas de energia solar
  • Acionamentos de motor
  • Soldagem
  • Aquecimento por indução

Benefícios do Semikron SEMiX302GB12E4s:

Ao escolher o Semikron SEMiX302GB12E4s, você se beneficia de:

  • Alta confiabilidade e robustez: Construído com tecnologia de ponta e materiais de alta qualidade, o SEMiX302GB12E4s garante operação confiável mesmo em condições exigentes.
  • Excelente desempenho: Com baixa perda de comutação e alta eficiência, o módulo contribui para a redução do consumo de energia e aumento da vida útil do sistema.
  • Design compacto: O encapsulamento SEMiX 2s oferece alta densidade de potência em um formato compacto, facilitando a integração em seus projetos.
  • Facilidade de uso: O módulo é projetado para fácil instalação e manuseio, simplificando o processo de montagem.

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