Módulo IGBT Fuji 2MBI100ND-120
Descrição
O 2MBI100ND-120 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta potência fabricado pela Fuji Electric, projetado para aplicações de conversão de energia exigentes. Este dispositivo semicondutor combina as vantagens de chaveamento rápido de um MOSFET com a capacidade de alta tensão e alta corrente de um transistor bipolar, tornando-o ideal para uma variedade de aplicações industriais.
Especificações Técnicas
- Tensão coletor-emissor (VCES): 1200V
- Corrente coletor (IC): 100A
- Frequência de chaveamento: Alta frequência
- Tempo de desligamento (tf): Rápido
- Encapsulamento: Módulo
- Configuração: Meia ponte
- Fabricante: Fuji Electric
- Número da peça: 2MBI100ND-120
Aplicações
O módulo IGBT 2MBI100ND-120 da Fuji é adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Inversores de frequência
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de acionamento de motor
- Soldagem
- Aquecimento por indução
- Energia renovável (solar e eólica)
Características e Benefícios
O Fuji 2MBI100ND-120 oferece vários recursos e benefícios importantes:
- Alta capacidade de corrente e tensão
- Baixas perdas de condução
- Excelente desempenho de chaveamento
- Alta confiabilidade e robustez
- Proteção contra curto-circuito
- Fácil instalação e uso
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