Módulo IGBT Semikron SKM600GB07E3
O módulo IGBT SKM600GB07E3 da Semikron é projetado para aplicações exigentes em termos de potência e confiabilidade. Sua configuração em meia ponte e robustez térmica o tornam ideal para diversas topologias de conversores. Este módulo opera com uma tensão coletor-emissor (VCES) de 650V e uma corrente de coletor nominal (ICnom) de 600A, adequado para sistemas de alta potência.
A tecnologia Trench de 3ª geração, combinada com diodos inversos CAL (Controlled Axial Lifetime) de comutação rápida e suave, garante perdas reduzidas e alta eficiência. O encapsulamento SEMITRANS 3 (106x62x31 mm) facilita a integração em sistemas compactos, enquanto a base de cobre isolada com tecnologia DCB (Direct Copper Bonding) otimiza a dissipação de calor, garantindo operação confiável em condições adversas.
O SKM600GB07E3 possui alta capacidade de curto-circuito (6 x ICnom) e um coeficiente de temperatura positivo para VCE(sat), aumentando a proteção e a estabilidade do sistema.
Especificações
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Tensão coletor-emissor (VCES) | 650V |
| Corrente de coletor nominal (ICnom) | 600A |
| Tecnologia | IGBT Trench de 3ª geração |
| Encapsulamento | SEMITRANS 3 (106x62x31 mm) |
| Configuração | Meia ponte |
| Resistor de gate integrado | Sim |
| Base | Cobre isolada DCB |
| Capacidade de curto-circuito | 6 x ICnom |
| Diodos inversos | CAL |
| Coeficiente de temperatura | Positivo para VCE(sat) |
Compatibilidade e Aplicações
O módulo SKM600GB07E3 é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência para acionamento de motores.
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS).
- Conversores para sistemas de tração.
Referência do fabricante
Informação não disponível.
Datasheet (PDF)
Informação não disponível.
