Semikron SEMiX653GB176HDs – Módulo IGBT de Alta Potência
O módulo IGBT SEMiX653GB176HDs da Semikron, com tecnologia Trench e configuração Half Bridge, é projetado para aplicações que exigem alta performance. Este módulo é ideal para topologias de Half-Bridge e Full-Bridge, oferecendo uma tensão de coletor-emissor (VCES) de 1700V e corrente de coletor contínua (ICnom) de 450A. Seu encapsulamento SEMiX 3s (150x64x17 mm) facilita a integração em sistemas compactos e exigentes, garantindo excelente robustez térmica e confiabilidade em diversas condições operacionais.
A combinação de alta tensão e corrente, juntamente com o encapsulamento otimizado, torna o SEMiX653GB176HDs uma escolha robusta para aplicações que necessitam de controle preciso de potência e alta eficiência. Sua tecnologia Trench contribui para menores perdas de comutação, resultando em maior eficiência energética e menor geração de calor.
Especificações
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Tecnologia | IGBT 3 (Trench) |
| Configuração | Half Bridge |
| Tensão de Colector-Emissor (VCES) | 1700 V |
| Corrente de Colector Contínua (ICnom) | 450 A |
| Encapsulamento | SEMiX 3s (150x64x17 mm) |
| Status do Produto | Em produção |
Compatibilidade e aplicações
O módulo SEMiX653GB176HDs é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência para acionamento de motores.
- Sistemas de alimentação ininterrupta (UPS).
- Fontes de alimentação industriais de alta potência.
Referência do fabricante
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Datasheet (PDF)
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