Transistor GaN 650V CoolGaN G5 – Alta Eficiência – IGT65R025D2

O transistor de potência IGT65R025D2 da Infineon, parte da família CoolGaN™ 650 V G5, é projetado para aumentar a eficiência em operações de alta frequência. Este componente utiliza tecnologia GaN (nitreto de gálio), permitindo um desempenho superior em aplicações industriais que exigem alta confiabilidade e eficiência energética. O IGT65R025D2 é encapsulado em um package TOLL com dissipação de calor otimizada pela parte inferior (bottom side cooled), facilitando o gerenciamento térmico em projetos desafiadores. Este transistor GaN é ideal para aplicações como fontes de alimentação chaveadas (SMPS), inversores e conversores DC-DC em diversos setores, incluindo telecomunicações, energia renovável e automação industrial. Sua alta eficiência minimiza perdas de energia, resultando em menor geração de calor e maior vida útil do sistema. O IGT65R025D2 representa uma solução avançada para engenheiros que buscam otimizar o desempenho e a confiabilidade de seus projetos.