Transistor GaN 650V CoolGaN – Alto Desempenho IGOT65R025D2

O transistor de potência IGOT65R025D2 da Infineon, integrante da família CoolGaN™ 650 V G5, representa um avanço significativo em tecnologia de semicondutores. Projetado para operação em alta frequência, este componente oferece eficiência otimizada em diversas aplicações industriais. O IGOT65R025D2, encapsulado em um package DSO com dissipação de calor superior, facilita o gerenciamento térmico, permitindo maior confiabilidade e vida útil prolongada em sistemas exigentes. Sua tecnologia GaN (nitreto de gálio) garante menores perdas por comutação e, consequentemente, maior eficiência energética. Aplicações típicas incluem fontes de alimentação de alta eficiência, inversores industriais, carregadores de bateria e sistemas de acionamento de motores, onde o alto desempenho e a confiabilidade são cruciais. A Infineon projeta o IGOT65R025D2 para atender aos mais altos padrões de qualidade, assegurando desempenho superior em ambientes industriais.