Semikron SKM75GB07E3

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Semikron SKM75GB07E3

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Semikron SKM75GB07E3: Módulo IGBT de Alta Potência

O Semikron SKM75GB07E3 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta potência que oferece excelente desempenho e confiabilidade em aplicações de conversão de energia. Projetado para operar em condições exigentes, este módulo é ideal para uma variedade de aplicações industriais, incluindo inversores de frequência, soldadores eletrônicos, energia eólica e transporte público.

Especificações Técnicas do SKM75GB07E3

  • Número da peça: 22895632
  • Tecnologia: IGBT 3 (Trench)
  • Configuração: Meia Ponte
  • Tensão coletor-emissor (VCES): 650V
  • Corrente de coletor nominal (ICnom): 75A
  • Invólucro: SEMITRANS 2 (94x34x30)
  • Temperatura de junção máxima (Tj): 175°C
  • Características:
    • VCE(sat) com coeficiente de temperatura positivo
    • Alta capacidade de curto-circuito, autolimitante a 6 x ICnom
    • Diodos inversos CAL de comutação rápida e suave
    • Base de cobre isolada usando tecnologia DCB (Direct Copper Bonding)
    • Com resistor de porta integrado

Aplicações do Módulo IGBT Semikron

O módulo SKM75GB07E3 é uma escolha robusta e versátil para diversas aplicações, como:

  • Acionamentos de motor CA: controle preciso de velocidade e torque em motores industriais.
  • Soldadores eletrônicos: alta eficiência e controle preciso da corrente de soldagem.
  • Energia eólica: conversão eficiente de energia em turbinas eólicas.
  • Transporte público: controle de tração em trens, bondes e metrôs.
  • Fontes de alimentação ininterruptas (UPS): fornecimento de energia confiável em caso de falha na rede elétrica.

Benefícios do SKM75GB07E3

Este módulo IGBT oferece uma série de vantagens que o tornam uma solução ideal para aplicações de alta potência:

  • Alta eficiência: reduz as perdas de energia e aumenta a eficiência geral do sistema.
  • Confiabilidade: projetado para operar em condições adversas e suportar altas temperaturas.
  • Robustez: alta capacidade de curto-circuito e proteção contra sobretensão.
  • Facilidade de uso: invólucro compacto e fácil de integrar em projetos existentes.
  • Tecnologia avançada: diodos inversos CAL de comutação rápida e suave para reduzir perdas e melhorar o desempenho.

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