Semikron SKM200GB12F4SiC2 – Módulo IGBT de Alta Performance

Procurando por um módulo IGBT de alta performance que combine a eficiência do SiC com a robustez do IGBT? Apresentamos o Semikron SKM200GB12F4SiC2, a solução ideal para aplicações que exigem alta velocidade de comutação e confiabilidade excepcional.

Especificações Técnicas:

• Número da peça: 22896100
• Status do produto: Em produção
• Invólucro: SEMITRANS 3 (106x62x31)
• Dimensões (LxAxP): 106x62x31 mm
• Configuração: Meia Ponte
• Tensão coletor-emissor (VCE): 1200 V
• Corrente de coletor nominal (ICnom): 200 A
• Tecnologia: Diodo SiC + IGBT 4 rápido (Trench)

Características Principais:

O Semikron SKM200GB12F4SiC2 oferece uma combinação única de recursos que o tornam a escolha ideal para uma variedade de aplicações:

• IGBT de 4ª Geração: IGBT Trench rápido de alta velocidade (Infineon) para comutação eficiente e perdas reduzidas.
• Diodos SiC Schottky: Diodos de Carbeto de Silício da ROHM para recuperação reversa ultra rápida e menor dissipação de energia.
• Base de cobre isolada: Tecnologia DBC (Direct Bonded Copper) para excelente transferência térmica e confiabilidade.
• Certificação UL: Reconhecido pela UL, arquivo nº E63532, garantindo segurança e conformidade.
• Resistor de Gate Integrado: Simplifica o design do circuito e reduz a necessidade de componentes externos.
• Alta Frequência de Comutação: Permite projetos mais compactos e eficientes.

Aplicações:

O Semikron SKM200GB12F4SiC2 é ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo:

• Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
• Inversores solares
• Acionamentos de motor industriais
• Soldagem
• Aquecimento por indução
• Carregadores de veículos elétricos

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A Mokka Sensors tem o prazer de oferecer o módulo Semikron SKM200GB12F4SiC2. Conte com a expertise da Mokka Sensors para encontrar soluções de alta qualidade para suas necessidades em eletrônica de potência. Entre em contato conosco hoje mesmo para saber mais sobre o SKM200GB12F4SiC2 e outros produtos Semikron.

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