Semikron SKM200GAL12F4SiC3 – Módulo IGBT de Alta Performance
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O Semikron SKM200GAL12F4SiC3 é um módulo IGBT de última geração que combina a avançada tecnologia de carboneto de silício (SiC) com o design robusto e confiável da Semikron. Este módulo híbrido oferece desempenho excepcional, eficiência energética e confiabilidade para uma variedade de aplicações de alta potência.
Especificações Técnicas do Semikron SKM200GAL12F4SiC3:
- Tecnologia: Diodo SiC + IGBT 4 rápido (Trench)
- Configuração: Single Switch
- Tensão coletor-emissor (VCE): 1200 V
- Corrente de coletor (IC): 200 A
- Pacote: SEMITRANS 3 (106x62x31)
- Status do produto: Em produção
Características e Benefícios:
O Semikron SKM200GAL12F4SiC3 oferece uma série de vantagens significativas:
- Alta eficiência: A tecnologia SiC reduz as perdas de comutação, resultando em maior eficiência energética e menor geração de calor.
- Alta velocidade de comutação: Permite operação em frequências mais altas, reduzindo o tamanho e o peso dos componentes passivos.
- Robustez e confiabilidade: Design robusto e encapsulamento SEMITRANS 3 garantem alta confiabilidade em ambientes exigentes.
- Temperatura de junção máxima (Tj): 175°C
Aplicações:
O Semikron SKM200GAL12F4SiC3 é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Energia solar
- Armazenamento de energia
- Conversores de frequência
- Acionamentos de motor
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