Semikron SKM195GAR07E3

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Semikron SKM195GAR07E3

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Semikron SKM195GAR07E3 – Módulo IGBT de Alta Potência

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O Semikron SKM195GAR07E3 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta potência, projetado para aplicações exigentes que requerem alta eficiência e confiabilidade. Pertencente à família SEMITRANS 2, este módulo combina tecnologias avançadas para oferecer excelente desempenho em conversão de energia.

Especificações Técnicas do Semikron SKM195GAR07E3:

  • Tensão coletor-emissor (VCES): 650V
  • Corrente de coletor nominal (ICnom): 200A
  • Tecnologia: IGBT 3 (Trench)
  • Invólucro: SEMITRANS 2 (94x34x30 mm)
  • Configuração: Single Switch
  • Temperatura de junção (Tj): -40°C a +175°C
  • Resistência térmica (Rth(j-c)): 0.22 K/W (por IGBT)
  • Diodos inversos: CAL, rápidos e de comutação suave
  • Baseplate: Cobre isolado com tecnologia DCB (Direct Copper Bonding)
  • Resistor de gate integrado: Sim
  • Alta capacidade de curto-circuito: Autolimitante a 6 x ICnom
  • Coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo: Sim

Aplicações Típicas:

O Semikron SKM195GAR07E3 é ideal para uma variedade de aplicações de alta potência, incluindo:

  • Soldadores eletrônicos
  • Conversores DC/DC
  • Choppers de freio
  • Motores de relutância chaveados
  • Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
  • Sistemas de energia solar
  • Acionamentos de motor industriais

Benefícios do Semikron SKM195GAR07E3:

Este módulo IGBT oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior para suas necessidades de conversão de energia:

  • Alta eficiência: As tecnologias avançadas de IGBT garantem perdas mínimas de energia, resultando em maior eficiência geral do sistema.
  • Confiabilidade robusta: Projetado para suportar condições operacionais exigentes, com alta capacidade de curto-circuito e excelente robustez.
  • Excelente desempenho térmico: A baseplate de cobre isolada com tecnologia DCB garante uma transferência de calor eficiente, permitindo operação em altas temperaturas.
  • Comutação rápida e suave: Os diodos inversos CAL proporcionam comutação rápida e suave, minimizando perdas e interferência eletromagnética (EMI).
  • Fácil integração: O invólucro SEMITRANS 2 e o resistor de gate integrado simplificam a integração em seus projetos.

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