Semikron SKCD 108 C 120 I4F R

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Semikron SKCD 108 C 120 I4F R

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Semikron SKCD 108 C 120 I4F R: Chip de Potência de Alta Performance

O Semikron SKCD 108 C 120 I4F R é um chip semicondutor de potência projetado para aplicações que exigem alta confiabilidade e desempenho. Com tecnologia de ponta, este componente oferece excelente performance em conversores de frequência, fontes de alimentação ininterruptas (no-breaks), sistemas de energia solar e outras aplicações industriais de alta potência.

Especificações Técnicas do SKCD 108 C 120 I4F R

Este chip de potência IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) possui características que o tornam ideal para uma variedade de projetos. Confira as especificações:

  • Tensão de Bloqueio (VCES): 1200V
  • Corrente do Coletor (IC): 200A
  • Tecnologia de Chip: Trench IGBT
  • Configuração: Módulo de chip único
  • Encapsulamento: I4F
  • Temperatura de Junção (Tj): -40°C a 150°C

Aplicações do Semikron SKCD 108 C 120 I4F R

Graças à sua robustez e performance, o SKCD 108 C 120 I4F R pode ser utilizado em diversos projetos, tais como:

  • Conversores de frequência para motores AC
  • Fontes de alimentação ininterruptas (no-breaks) de alta potência
  • Inversores solares para sistemas fotovoltaicos
  • Sistemas de acionamento para máquinas industriais
  • Soldagem a arco
  • Aquecimento por indução

Benefícios do Chip Semikron

Ao escolher o SKCD 108 C 120 I4F R, você garante:

  • Alta eficiência energética, reduzindo perdas e otimizando o consumo.
  • Excelente capacidade de comutação, proporcionando controle preciso e rápido.
  • Robustez e durabilidade em condições de operação exigentes.
  • Tecnologia avançada que garante confiabilidade e performance.

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