SEMiX603GB17E4pV1 – Módulo IGBT de Alta Potência
O SEMiX603GB17E4pV1 é um módulo IGBT trifásico de alta potência da Semikron, projetado para aplicações exigentes que requerem alto desempenho e confiabilidade. Com tecnologia Trench IGBT de 4ª geração, este módulo oferece excelente desempenho em termos de perdas de condução e comutação, tornando-o ideal para inversores de frequência, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), sistemas de energia renovável e acionamentos de motor industriais.
Especificações Técnicas do SEMiX603GB17E4pV1:
- Tensão de Colector-Emissor (VCES): 1700V
- Corrente de Colector Nominal (ICnom): 600A
- Configuração: Meia Ponte
- Tecnologia: IGBT 4 (Trench)
- Encapsulamento: SEMiX 3p (150x62x17 mm)
- Temperatura de Junção Máxima (Tj): 150°C
- Curto-circuito: Alta capacidade
- Montagem: Press-fit
- Homologação UL: E63532
Características e Benefícios:
O módulo SEMiX603GB17E4pV1 oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior para suas necessidades de aplicação:
- Tecnologia Trench IGBT de 4ª Geração: Proporciona menor perda de condução e comutação, resultando em maior eficiência energética e menor geração de calor.
- Alta capacidade de curto-circuito: Garante a robustez e a confiabilidade do sistema em condições de operação adversas.
- Encapsulamento SEMiX 3p: Compacto e robusto, com excelente dissipação térmica.
- Press-fit pins: Facilita a montagem e garante uma conexão confiável.
- Homologação UL: Atende aos mais rigorosos padrões de segurança.
Aplicações Típicas:
Este módulo IGBT é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Inversores de frequência para controle de motores AC
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de energia renovável, como inversores solares e conversores eólicos
- Acionamentos de motor industriais de alta potência
- Aplicações de aquecimento por indução
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