Módulo IGBT SEMiX603GB12E4I25p Semikron
O módulo IGBT SEMiX603GB12E4I25p da Semikron é projetado para aplicações exigentes onde alta potência e confiabilidade são cruciais. Sua configuração em meia ponte o torna ideal para topologias de inversores trifásicos, acionamentos de motores e fontes de alimentação. A robustez térmica do módulo, com temperatura de junção de -40°C a 175°C, assegura operação estável em condições adversas.
Este módulo incorpora IGBTs de 1200V e 600A, otimizados para baixa perda de condução e comutação. O encapsulamento SEMiX 3p shunt e os pinos press-fit facilitam a montagem e o manuseio. O shunt integrado permite o monitoramento preciso da corrente, otimizando o controle e a proteção do sistema.
O SEMiX603GB12E4I25p é uma solução confiável para aplicações que demandam alta capacidade de corrente e tensão, com excelente desempenho em temperaturas elevadas, garantindo a eficiência e a longevidade dos seus projetos.
Especificações
- Tensão coletor-emissor (VCE): 1200V
- Corrente de coletor (IC): 600A
- Configuração: Meia Ponte
- Tecnologia: IGBT 4 (Trench)
- Temperatura de junção (Tj): -40°C a 175°C
- Resistência térmica (Rth(j-c)): 0.037 K/W por IGBT
- Encapsulamento: SEMiX 3p shunt (150x62x17)
- Características adicionais: Shunt de detecção de corrente, pinos press-fit
Compatibilidade e aplicações
O módulo SEMiX603GB12E4I25p é comumente utilizado em inversores de frequência para controle de motores, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) para garantir energia em situações críticas e sistemas de tração em veículos elétricos e híbridos.
Referência do fabricante
Disponível sob consulta.
Datasheet (PDF)
Datasheet não fornecido.
