Módulo IGBT SEMiX603GB12E4I25p Semikron
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O SEMiX603GB12E4I25p é um módulo IGBT de alta potência, ideal para aplicações exigentes como inversores de frequência, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e sistemas de energia renovável. Com tecnologia Trench IGBT de 4ª geração, este módulo oferece excelente desempenho e confiabilidade.
Especificações Técnicas:
- Tensão coletor-emissor (VCE): 1200V
- Corrente de coletor (IC): 600A
- Configuração: Meia Ponte
- Tecnologia: IGBT 4 (Trench)
- Temperatura de junção (Tj): -40°C a 175°C
- Resistência térmica (Rth(j-c)): 0.037 K/W por IGBT
- Encapsulamento: SEMiX 3p shunt (150x62x17)
- Características adicionais: Shunt de detecção de corrente, pinos press-fit
Benefícios do SEMiX603GB12E4I25p:
O módulo SEMiX603GB12E4I25p oferece uma série de vantagens, incluindo:
- Alta capacidade de corrente e tensão
- Baixas perdas de condução e comutação
- Excelente robustez e confiabilidade
- Facilidade de montagem com pinos press-fit
- Monitoramento preciso de corrente com shunt integrado
Aplicações Típicas:
Este módulo IGBT é ideal para uma variedade de aplicações, como:
- Inversores de frequência para motores AC
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de energia renovável, como inversores solares e turbinas eólicas
- Soldagem industrial
- Aquecimento por indução
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