Semikron SEMiX452GAL126HDs – Módulo IGBT de Alta Potência
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O Semikron SEMiX452GAL126HDs é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta potência projetado para aplicações exigentes, como inversores de frequência, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), soldagem eletrônica e muito mais. Com tecnologia Trench IGBT de terceira geração, este módulo oferece excelente desempenho, confiabilidade e eficiência.
Especificações Técnicas do Semikron SEMiX452GAL126HDs:
- Tecnologia: IGBT 3 (Trench)
- Tensão de bloqueio (VCES): 1200 V
- Corrente de coletor (IC): 300 A
- Corrente de coletor pulsada (ICRM): 600 A
- Tensão de porta-emissor (VGES): ±20 V
- Temperatura de junção (Tj): -40°C a 150°C
- Encapsulamento: SEMiX 2s (117x64x17 mm)
- Montagem: Press-Fit, parafuso
- Características:
- Tecnologia Trench IGBT para alta eficiência e baixa perda de potência
- Alta capacidade de curto-circuito
- Coeficiente de temperatura positivo VCE(sat)
- Homogeneous Si
- Aplicações Típicas:
- Inversores de frequência para controle de motores
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Soldagem eletrônica
- Sistemas de energia renovável
Benefícios do Semikron SEMiX452GAL126HDs:
O Semikron SEMiX452GAL126HDs oferece uma série de benefícios para suas aplicações, incluindo:
- Alta eficiência: A tecnologia Trench IGBT garante baixas perdas de potência, resultando em maior eficiência energética.
- Confiabilidade: Construído com materiais de alta qualidade e rigorosos padrões de fabricação, o módulo oferece excelente confiabilidade e longa vida útil.
- Robustez: Alta capacidade de curto-circuito e proteção contra sobretensão garantem a robustez do módulo em condições adversas.
- Facilidade de uso: O encapsulamento SEMiX 2s oferece fácil montagem e integração em seus projetos.
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