Semikron SEMiX303GB12M7p: Módulo IGBT de Alta Potência
Procurando por um módulo IGBT confiável e de alto desempenho para sua aplicação? Apresentamos o Semikron SEMiX303GB12M7p, um componente de potência que oferece excelente desempenho e eficiência para uma variedade de aplicações industriais.
Especificações Técnicas do SEMiX303GB12M7p
- Número da peça: 27895107
- Tecnologia: IGBT M7
- Configuração: Meia ponte
- Tensão de bloqueio coletor-emissor (VCES): 1200 V
- Corrente de coletor nominal (ICnom): 300 A
- Invólucro: SEMiX 3p (150x62x17 mm)
- Tipo de chip: Homogêneo de silício
- Tecnologia de porta: Trenchgate
- Características adicionais: VCE(sat) com coeficiente de temperatura positivo, alta capacidade de sobrecarga, baixas perdas
Aplicações do Módulo IGBT SEMiX303GB12M7p
O módulo SEMiX303GB12M7p é ideal para uma variedade de aplicações de alta potência, incluindo:
- Conversores de frequência
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de acionamento de motores
- Energia renovável (solar e eólica)
- Soldagem
- Aquecimento por indução
Benefícios do SEMiX303GB12M7p
Ao escolher o Semikron SEMiX303GB12M7p, você se beneficia de:
- Alta eficiência e baixo consumo de energia
- Excelente desempenho em alta frequência
- Robustez e confiabilidade
- Facilidade de integração em projetos
- Tecnologia avançada de IGBT M7
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