Módulo IGBT Semikron SEMiX205TMLI12E4B
O módulo IGBT SEMiX205TMLI12E4B da Semikron é projetado para aplicações trifásicas de alta potência, com foco em desempenho e confiabilidade. Sua arquitetura de 3 níveis (TNPC) e tecnologia Trench 4 o tornam adequado para topologias exigentes, garantindo baixas perdas e alta eficiência.
Este módulo IGBT opera com uma tensão coletor-emissor (VCES) de 1200V e uma corrente de coletor nominal (ICnom) de 200A, suportando temperaturas de junção de até 175°C. O encapsulamento SEMiX 5p (130x70x17 mm) e a montagem simplificada, com pinos de sinal PressFIT e terminais de potência parafusados, facilitam a integração em diversos sistemas.
A robustez térmica é um diferencial crucial, garantindo operação estável em condições extremas e prolongando a vida útil do equipamento.
Especificações
- Número da peça: 21919470
- Tecnologia: IGBT 4 (Trench)
- Configuração: 3-level TNPC
- Tensão coletor-emissor (VCES): 1200V
- Corrente de coletor nominal (ICnom): 200A
- Temperatura de junção máxima (Tjmax): 175°C
- Encapsulamento: SEMiX 5p (130x70x17 mm)
- Montagem: Soldagem livre com pinos de sinal PressFIT e terminais de potência parafusados
Compatibilidade e aplicações
O SEMiX205TMLI12E4B é amplamente utilizado em:
- Inversores de frequência para acionamentos de motores.
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS).
- Conversores de tração.
Referência do fabricante
N/A
Datasheet (PDF)
N/A
