Semikron SEMiX202GB12E4s

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Semikron SEMiX202GB12E4s

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Semikron SEMiX202GB12E4s – Módulo IGBT de Alta Potência

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Especificações Técnicas do Semikron SEMiX202GB12E4s:

  • Número da peça: SEMiX202GB12E4s
  • Tipo de módulo: Ponte completa
  • Tecnologia: IGBT 4 (Trench)
  • Tensão coletor-emissor (VCES): 1200 V
  • Corrente de coletor (IC): 200 A
  • Invólucro: SEMiX 2s (117x64x17 mm)
  • Temperatura de junção máxima (Tj): 175 °C
  • Recursos:
    • Homogeneidade de silício
    • Tecnologia Trenchgate
    • VCE(sat) com coeficiente de temperatura positivo
    • Alta capacidade de curto-circuito
    • Reconhecido pela UL, arquivo nº E63532

Aplicações do Semikron SEMiX202GB12E4s:

O módulo Semikron SEMiX202GB12E4s é ideal para uma variedade de aplicações de alta potência, incluindo:

  • Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
  • Conversores de energia solar
  • Acionamentos de motor industriais
  • Soldagem
  • Aquecimento por indução

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