MOSFET SiC 650V SMD de Alta Potência – IMBG65R022M1H SKU IMBG65R022M1H

O IMBG65R022M1H da Infineon é um MOSFET de Carbureto de Silício (SiC) de 650V, projetado para aplicações de alta potência. Este componente, construído com a avançada tecnologia CoolSiC™ trench da Infineon, oferece desempenho superior, robustez aprimorada e facilidade de uso em um encapsulamento SMD compacto de 7 pinos. A tecnologia CoolSiC™ aproveita as fortes características físicas do SiC, resultando em maior eficiência e confiabilidade. O IMBG65R022M1H é otimizado para maximizar o desempenho do sistema, proporcionando maior compacidade e durabilidade. Este MOSFET SiC é ideal para uso em inversores, fontes de alimentação chaveadas (SMPS), carregadores de veículos elétricos (EV) e outras aplicações industriais que exigem alta eficiência e confiabilidade. O IMBG65R022M1H se destaca em ambientes onde a minimização de perdas de energia e o aumento da densidade de potência são cruciais.