MOSFET SiC 2000V CoolSiC TO-247PLUS – IMYH200R024M1H

O IMYH200R024M1H é um MOSFET SiC (carbeto de silício) CoolSiC™ de 2000 V fabricado pela Infineon Technologies, projetado para aplicações de alta tensão e frequência de chaveamento exigentes. Este componente, encapsulado em TO 247PLUS 4 HCC, oferece baixa perda de potência, resultando em maior eficiência e confiabilidade dos sistemas. A tecnologia .XT de interconexão dentro do IMYH200R024M1H contribui para um desempenho otimizado. Suas características o tornam ideal para diversas aplicações, incluindo inversores de string, otimizadores de energia solar, carregadores para veículos elétricos (EV) e sistemas de armazenamento de energia. A combinação de alta tensão, baixa resistência e encapsulamento avançado garante um desempenho superior em condições operacionais severas.