MOSFET SiC 2000V CoolSiC – TO 247PLUS 4 HCC – IMYH200R075M1H
O IMYH200R075M1H da Infineon é um MOSFET SiC (carbeto de silício) de 2000 V da família CoolSiC™, projetado para oferecer alta densidade de potência e confiabilidade superior. Este componente, encapsulado em TO 247PLUS 4 HCC, utiliza a tecnologia de interconexão .XT, otimizada para aplicações de alta tensão e frequência de chaveamento. A tecnologia CoolSiC™ proporciona perdas de potência reduzidas, aumentando a eficiência e a vida útil em sistemas de energia. O IMYH200R075M1H é ideal para aplicações como inversores string, otimizadores solares, carregadores de veículos elétricos (EV) e sistemas de armazenamento de energia, onde a alta eficiência e a confiabilidade são essenciais. A combinação da tecnologia SiC e o encapsulamento otimizado tornam este MOSFET uma solução avançada para diversas aplicações industriais.
Especificações Técnicas
| Tipo de Componente | MOSFET SiC |
|---|---|
| Tensão | 2000 V |
| Resistência (Rds(on)) | 75 mΩ |
| Encapsulamento | TO 247PLUS 4 HCC |
| Tecnologia | CoolSiC™ |
Perguntas Frequentes
Quais são os principais benefícios do MOSFET IMYH200R075M1H?
O IMYH200R075M1H oferece alta densidade de potência, baixa perda de potência, e maior confiabilidade, especialmente em aplicações de alta tensão e frequência de chaveamento, graças à tecnologia CoolSiC™ e ao encapsulamento otimizado.
Em quais aplicações o IMYH200R075M1H pode ser utilizado?
Este MOSFET é ideal para inversores string, otimizadores solares, carregadores de veículos elétricos (EV) e sistemas de armazenamento de energia, entre outras aplicações industriais que exigem alta eficiência.
Qual a importância da tecnologia de interconexão .XT no IMYH200R075M1H?
A tecnologia .XT contribui para a confiabilidade do componente em aplicações de alta tensão, otimizando o desempenho e aumentando a vida útil do sistema.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMYH200R075M1H – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMYH200R075M1H
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