MOSFET SiC 1200V Automotivo TO247 – AIMZH120R040M1T

O AIMZH120R040M1T é um MOSFET de potência de carbeto de silício (SiC) de 1200V, projetado para aplicações automotivas exigentes. Fabricado pela Infineon Technologies, este componente utiliza a tecnologia de chip otimizada (Gen1p) para oferecer desempenho superior em comutação, robustez a ativações parasitas e melhorias em RDSon e resistência térmica (Rth(j c)). O encapsulamento TO247 4L (pinos finos) otimiza a dissipação de calor, garantindo operação confiável em diversas condições. O AIMZH120R040M1T é ideal para carregadores de bordo (OBC) e aplicações DCDC, proporcionando alta densidade de potência, eficiência superior e a capacidade de carregamento bidirecional. A redução significativa nos custos do sistema é um benefício adicional, tornando-o uma escolha atrativa para projetos que buscam desempenho e economia. Este MOSFET SiC da Infineon representa um avanço em tecnologia de semicondutores para o setor automotivo.