MOSFET SiC 1200V Automotivo D2PAK – AIMBG120R020M1 SKU AIMBG120R020M1

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Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in D2PAK-7L, 20mΩ

SKU: AIMBG120R020M1 Categoria: Marca:

MOSFET SiC 1200V Automotivo D2PAK – AIMBG120R020M1

O AIMBG120R020M1 da Infineon Technologies é um MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de potência fabricado com tecnologia Silicon Carbide (SiC). Este componente de alto desempenho é projetado para aplicações automotivas, oferecendo uma tensão de ruptura de 1200V e uma resistência no estado ligado (RDS(on)) de 20mΩ. O encapsulamento D2PAK 7L proporciona uma excelente dissipação de calor, essencial em ambientes de alta potência. Este MOSFET SiC é ideal para uso em inversores de tração, carregadores de veículos elétricos (EV) e sistemas de gestão de bateria (BMS), onde a eficiência e a confiabilidade são cruciais. A tecnologia SiC permite uma comutação mais rápida e perdas menores, resultando em maior eficiência energética. O AIMBG120R020M1 se destaca por sua robustez e capacidade de operar em condições extremas, garantindo a durabilidade e o desempenho consistentes em aplicações críticas. Este componente da Infineon é uma solução avançada para otimizar o desempenho e a eficiência em sistemas automotivos modernos.

Especificações Técnicas

Tipo de Componente MOSFET de Potência
Tecnologia Silicon Carbide (SiC)
Tensão de Ruptura 1200V
Resistência no Estado Ligado (RDS(on)) 20mΩ
Encapsulamento D2PAK 7L

Perguntas Frequentes

Quais são as principais aplicações do MOSFET AIMBG120R020M1?

O MOSFET AIMBG120R020M1 é ideal para inversores de tração em veículos elétricos (EVs), carregadores de EV e sistemas de gestão de bateria (BMS) devido à sua alta eficiência e capacidade de operar em condições exigentes.

Quais são os benefícios da tecnologia SiC no AIMBG120R020M1?

A tecnologia Silicon Carbide (SiC) permite uma comutação mais rápida e menores perdas de energia em comparação com os MOSFETs de silício convencionais, resultando em maior eficiência energética e desempenho aprimorado.

Qual o encapsulamento do AIMBG120R020M1 e quais suas vantagens?

O AIMBG120R020M1 possui encapsulamento D2PAK 7L. Esse encapsulamento oferece uma excelente capacidade de dissipação de calor, crucial para o desempenho em aplicações de alta potência e alta temperatura.

🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial AIMBG120R020M1 – Infineon Technologies

📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet AIMBG120R020M1

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