MOSFET SiC 1200V Automotivo 20mΩ – AIMZH120R020M1T

O AIMZH120R020M1T, fabricado pela Infineon Technologies, é um MOSFET de potência de carbeto de silício (SiC) de 1200V projetado para aplicações automotivas. Este componente utiliza a tecnologia de chip otimizada para desempenho da Infineon (Gen1p), resultando em excelente desempenho de chaveamento, robustez contra ativações parasitas, além de RDSon e resistência térmica (Rth(j c)) aprimoradas. A combinação de alta densidade de potência, eficiência superior e capacidades de carregamento bidirecional, aliada à redução significativa dos custos do sistema, torna o AIMZH120R020M1T uma escolha ideal para carregadores de bordo (OBC) e aplicações DCDC. O encapsulamento TO247-4L (terminais finos) garante uma dissipação de calor eficiente, enquanto a baixa resistência de 20mΩ minimiza as perdas de condução. Este MOSFET de potência é fundamental para otimizar o desempenho e a confiabilidade em sistemas automotivos de alta voltagem.