MOSFET SiC 1200V 7mΩ CoolSiC TO247-4 – IMZA120R007M1H

O IMZA120R007M1H é um MOSFET de potência discreto CoolSiC™ de 1200 V e 7 mΩ, encapsulado em TO247-4, fabricado pela Infineon Technologies. Este componente é construído com tecnologia de ponta de semicondutores Trench, otimizada para combinar alto desempenho e confiabilidade. O IMZA120R007M1H se destaca por apresentar a menor carga de porta e capacitância entre os dispositivos de chaveamento de 1200 V. Ele também não apresenta perdas de recuperação reversa através do diodo interno de comutação, além de perdas de chaveamento baixas e independentes da temperatura, e uma característica de condução sem limiar. O MOSFET IMZA120R007M1H é ideal para diversas aplicações industriais, incluindo inversores solares, fontes de alimentação chaveadas (SMPS), carregadores de veículos elétricos (EV) e sistemas de acionamento de motores, onde eficiência e desempenho são cruciais. Sua capacidade de operar em altas tensões e com baixas perdas o torna uma escolha excelente para otimizar o consumo de energia em sistemas críticos.