MOSFET SiC 1200V 60mOhms Infineon – AIMBG120R060M1
O AIMBG120R060M1 da Infineon é um MOSFET de Carbeto de Silício (SiC) otimizado para aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade. Utilizando a tecnologia de chip otimizada (Gen1p) da Infineon, este componente oferece desempenho de chaveamento superior, robustez contra ativações parasitas, além de RDSon e resistência térmica (Rth(j c)) aprimoradas. A alta densidade de potência, a eficiência superior e a capacidade de carregamento bidirecional tornam o AIMBG120R060M1 uma escolha ideal para carregadores embarcados e aplicações DCDC. Sua robustez e desempenho superior resultam em redução significativa nos custos do sistema. O encapsulamento e as características do AIMBG120R060M1 foram projetados para atender às exigências de aplicações industriais e automotivas, proporcionando uma solução compacta e eficiente para gerenciamento de energia.
Especificações Técnicas
| Tecnologia | SiC (Carbeto de Silício) |
|---|---|
| Tensão | 1200V |
| RDS(on) | 60 mOhms |
| Aplicações | Carregadores Embarcados e DCDC |
Perguntas Frequentes
Quais são os principais benefícios do MOSFET AIMBG120R060M1?
O AIMBG120R060M1 oferece alto desempenho de chaveamento, robustez aprimorada e eficiência superior, resultando em menor custo de sistema e maior densidade de potência.
Quais aplicações são recomendadas para o AIMBG120R060M1?
Este MOSFET SiC é ideal para carregadores embarcados e aplicações DCDC, bem como outras aplicações de gerenciamento de energia que exigem alta eficiência e confiabilidade.
Qual a tecnologia utilizada no AIMBG120R060M1?
O AIMBG120R060M1 utiliza a tecnologia de chip otimizada (Gen1p) da Infineon, que garante alto desempenho e robustez.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial AIMBG120R060M1 – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet AIMBG120R060M1
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