MOSFET SiC 1200V 30mΩ TO-247-4 Infineon – IMZA120R030M1H

O IMZA120R030M1H é um MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) CoolSiC™ de 1200 V e 30 mΩ, fabricado pela Infineon Technologies. Este componente utiliza uma tecnologia de semicondutores de ponta, com uma estrutura de dreno em trench, otimizada para combinar desempenho e confiabilidade. Comparado aos MOSFETs e IGBTs de silício (Si) tradicionais, o IMZA120R030M1H apresenta vantagens significativas, como a menor carga de porta e capacitância de dispositivo em chaves de 1200 V, ausência de perdas de recuperação reversa no diodo de corpo de comutação interno, perdas de chaveamento baixas e independentes da temperatura, e uma característica de estado ligado sem limiar. O encapsulamento TO-247-4 do IMZA120R030M1H reduz os efeitos da indutância parasita da fonte no circuito da porta, permitindo um chaveamento mais rápido e maior eficiência. Os MOSFETs CoolSiC™ são ideais para topologias de chaveamento duro e ressonante, como circuitos de correção do fator de potência (PFC), topologias bidirecionais, conversores CC/CC e inversores CC/CA.