MOSFET SiC 1200V 20mΩ TO247-4 Infineon – IMZA120R020M1H
O IMZA120R020M1H é um MOSFET de potência discreto CoolSiC™ de 1200 V e 20 mΩ da Infineon, encapsulado em TO247-4. Este componente é construído em um processo semicondutor trench de última geração, otimizado para combinar desempenho e confiabilidade. O IMZA120R020M1H oferece a menor carga de porta e capacitância de dispositivo entre os chaveadores de 1200 V, ausência de perdas de recuperação reversa no diodo de comutação interno e baixas perdas de chaveamento, independentemente da temperatura. Sua característica de condução em estado ligado (on-state) é livre de limiar. Este MOSFET SiC é ideal para aplicações industriais que exigem alta eficiência e robustez, como inversores solares, fontes de alimentação de alta tensão e acionamentos de motores.
Especificações Técnicas
| Tensão VDS | 1200 V |
|---|---|
| Resistência no estado ligado (RDS(on)) | 20 mΩ |
| Encapsulamento | TO247-4 |
| Tecnologia | CoolSiC Trench MOSFET |
Perguntas Frequentes
Quais são os principais benefícios do MOSFET IMZA120R020M1H?
O IMZA120R020M1H oferece baixa carga de porta, baixas perdas de chaveamento, ausência de perdas de recuperação reversa e característica de condução livre de limiar, resultando em alta eficiência e confiabilidade.
Quais aplicações são adequadas para o IMZA120R020M1H?
Este MOSFET SiC é ideal para inversores solares, fontes de alimentação de alta tensão, acionamentos de motores e outras aplicações industriais que requerem alta eficiência e desempenho.
Qual a principal vantagem do encapsulamento TO247-4 no IMZA120R020M1H?
O encapsulamento TO247-4 melhora o desempenho térmico e elétrico, facilitando a dissipação de calor e otimizando o desempenho do MOSFET.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMZA120R020M1H – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMZA120R020M1H
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