MOSFET SiC 1200V 14 mΩ TO247-4 Infineon – IMZA120R014M1H

O IMZA120R014M1H é um MOSFET de potência discreto CoolSiC™ de 1200 V e 14 mΩ da Infineon Technologies, encapsulado em TO247-4. Construído em um processo semicondutor de última geração, otimizado para combinar desempenho e confiabilidade, o IMZA120R014M1H apresenta baixa carga de porta, baixa capacitância e ausência de perdas por recuperação reversa no diodo de corpo integrado. As perdas de chaveamento são independentes da temperatura, e a característica de condução em estado ligado é livre de limiar. Este MOSFET SiC é ideal para aplicações que exigem alta eficiência e robustez, como inversores solares, fontes de alimentação de alta eficiência, carregadores de veículos elétricos e equipamentos industriais. A tecnologia CoolSiC™ garante uma operação confiável em condições exigentes.