MOSFET de Potência 650V CoolMOS CFD7A – IPDQ65R029CFD7A
O IPDQ65R029CFD7A é um MOSFET de potência de canal N CoolMOS™ CFD7A da Infineon, qualificado para uso automotivo. Este componente opera com uma tensão de 650 V e apresenta uma resistência de 29 mΩ. O encapsulamento QDPAK com resfriamento superior (top side cooling) otimiza a dissipação de calor, suportando maior densidade de potência em seus projetos. Comparado à geração anterior, o CoolMOS™ CFD7A oferece maior confiabilidade e flexibilidade de design. O design do encapsulamento inclui um pino de fonte Kelvin e uma distância de fuga de 3,2 mm. O IPDQ65R029CFD7A é ideal para aplicações como sistemas de carregamento embarcado (OBC), inversores e conversores DC-DC em veículos elétricos e híbridos, e em outras aplicações industriais que demandam alta eficiência e confiabilidade.
Especificações Técnicas
| Tipo de Componente | MOSFET de Potência |
|---|---|
| Tensão | 650 V |
| Resistência (Rds(on)) | 29 mΩ |
| Encapsulamento | HDSOP 22 (top side cooling) |
| Família | CoolMOS™ CFD7A |
Perguntas Frequentes
Quais são os principais benefícios do IPDQ65R029CFD7A?
O IPDQ65R029CFD7A oferece alta confiabilidade, maior densidade de potência e flexibilidade de design, além de resfriamento superior, ideal para aplicações automotivas e industriais.
Em quais aplicações o IPDQ65R029CFD7A pode ser utilizado?
Este MOSFET é ideal para sistemas de carregamento embarcado (OBC), inversores e conversores DC-DC em veículos elétricos e híbridos, além de outras aplicações industriais que exigem alta eficiência.
Qual o tipo de encapsulamento do IPDQ65R029CFD7A?
O IPDQ65R029CFD7A possui encapsulamento HDSOP 22 com resfriamento superior (top side cooling), otimizando a dissipação de calor.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IPDQ65R029CFD7A – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IPDQ65R029CFD7A
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