MOSFET CoolSiC 750V G2 25mΩ Infineon – IMDQ75R025M2H

O MOSFET CoolSiC™ 750V G2 IMDQ75R025M2H da Infineon Technologies representa um avanço significativo em tecnologia de semicondutores de potência. Este dispositivo, projetado para aplicações industriais exigentes, integra um MOSFET de 750V da Geração 2 em um encapsulamento Q DPAK com resfriamento superior, otimizando o gerenciamento térmico. O IMDQ75R025M2H se destaca por sua baixa resistência no estado ligado de 25 mΩ, o que minimiza as perdas por condução, resultando em maior eficiência energética. Comparado à geração anterior, este MOSFET oferece um aumento de 25% na velocidade de comutação e uma melhoria de até 35% no Figure of Merit (FoM), possibilitando projetos mais compactos e confiáveis. As aplicações típicas incluem fontes de alimentação chaveadas (SMPS), inversores solares, acionamentos de motores e sistemas de carregamento de veículos elétricos, onde a alta eficiência e a confiabilidade são primordiais. A tecnologia CoolSiC™ empregada no IMDQ75R025M2H garante desempenho superior em termos de comutação e perdas, contribuindo para a redução geral do tamanho e custo dos sistemas.