MOSFET CoolSiC 750V G2 16 mΩ – Infineon IMDQ75R016M2H
O IMDQ75R016M2H é um MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) da família CoolSiC™ 750 V Geração 2 da Infineon Technologies. Projetado para otimizar o desempenho em sistemas de potência, este componente se destaca por sua alta eficiência e confiabilidade. O dispositivo, com resistência de 16 mΩ, é encapsulado em Q DPAK com dissipação de calor pela parte superior (top side cooled), facilitando o gerenciamento térmico em aplicações exigentes. Comparado à Geração 1, o IMDQ75R016M2H oferece um aumento de 25% na velocidade de chaveamento e até 35% de melhoria nos Figure of Merits (FOMs), resultando em sistemas mais compactos e eficientes. Aplicações típicas incluem inversores solares, fontes de alimentação chaveadas (SMPS), e sistemas de acionamento de motores industriais, onde a eficiência e a durabilidade são primordiais. A tecnologia CoolSiC™ da Infineon garante menor perda por condução e chaveamento, otimizando o desempenho geral do sistema.
Especificações Técnicas
| Tipo de Transistor | MOSFET CoolSiC™ |
|---|---|
| Tensão | 750 V |
| Resistência (Rds(on)) | 16 mΩ |
| Encapsulamento | Q DPAK (dissipação superior) |
Perguntas Frequentes
Quais são os principais benefícios do MOSFET IMDQ75R016M2H?
O IMDQ75R016M2H oferece melhor desempenho de chaveamento, menor perda de energia e melhor gerenciamento térmico, resultando em sistemas mais eficientes e confiáveis.
Em quais aplicações o IMDQ75R016M2H é utilizado?
Este MOSFET é ideal para aplicações industriais, como inversores solares, fontes de alimentação chaveadas (SMPS) e sistemas de acionamento de motores.
Qual a diferença entre o IMDQ75R016M2H e a geração anterior?
O IMDQ75R016M2H, pertencente à Geração 2, apresenta um aumento de 25% na velocidade de chaveamento e até 35% de melhoria nos Figure of Merits (FOMs) em comparação com a Geração 1.
🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMDQ75R016M2H – Infineon Technologies
📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMDQ75R016M2H
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