MOSFET CoolSiC 650V G2 Top Side – IMLT65R026M2H

O IMLT65R026M2H, um MOSFET CoolSiC™ discreto de 650 V da Geração 2 (G2) da Infineon, incorpora o melhor desempenho de chaveamento da classe, otimizado para aplicações que demandam alta eficiência e densidade de potência. Este componente se destaca por sua capacidade de operar em configurações de resfriamento top side, proporcionando melhor desempenho térmico, redução de custos e simplificação do projeto do sistema. A utilização do encapsulamento TOLT permite uma solução discreta completa com resfriamento superior. O IMLT65R026M2H é projetado para atender às exigências de aplicações como inversores solares, fontes de alimentação de alta eficiência, carregadores de veículos elétricos e sistemas de acionamento industrial. Sua tecnologia CoolSiC™ G2 garante baixo tempo de resposta e perdas de chaveamento reduzidas, aumentando a eficiência geral do sistema. A combinação de desempenho superior e facilidade de montagem faz do IMLT65R026M2H uma escolha excelente para engenheiros que buscam otimizar o desempenho e a confiabilidade de seus projetos.