MOSFET CoolSiC 650V G2 TO-247-3 Infineon – IMW65R010M2H

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CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 in TO-247-3 package

SKU: IMW65R010M2H Categoria: Marca:

MOSFET CoolSiC 650V G2 TO-247-3 Infineon – IMW65R010M2H

O IMW65R010M2H é um MOSFET CoolSiC™ de 650 V G2 da Infineon Technologies, encapsulado em um TO 247 3. Este componente representa um avanço significativo em relação à tecnologia de primeira geração, proporcionando soluções mais otimizadas em termos de custo, eficiência, compacidade e confiabilidade. A segunda geração apresenta melhorias significativas em figuras de mérito cruciais para operações de chaveamento duro e topologias de chaveamento suave. O IMW65R010M2H é ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo estágios AC/DC, DC/DC e DC/AC. A tecnologia CoolSiC™ permite maior desempenho em conversores de energia, inversores solares, fontes de alimentação chaveadas e sistemas de acionamento de motores. A Infineon, com o IMW65R010M2H, oferece uma solução robusta e eficiente para as demandas da eletrônica de potência moderna.

Especificações Técnicas

Tipo de Componente MOSFET
Tensão 650 V
Resistência 10 mΩ
Encapsulamento TO 247 3
Tecnologia CoolSiC™ G2

Perguntas Frequentes

Quais são as principais aplicações do MOSFET IMW65R010M2H?

O IMW65R010M2H é ideal para diversas aplicações, incluindo conversores de energia, inversores solares, fontes de alimentação chaveadas e sistemas de acionamento de motores, abrangendo estágios AC/DC, DC/DC e DC/AC.

Quais são as vantagens da tecnologia CoolSiC™ G2?

A tecnologia CoolSiC™ G2 oferece melhorias significativas em eficiência, compacidade e confiabilidade em comparação com gerações anteriores, otimizando o projeto de sistemas e reduzindo custos.

Qual o encapsulamento do IMW65R010M2H?

O IMW65R010M2H é encapsulado em um TO 247 3, um encapsulamento popular para componentes de potência.

🔗 Referência do Fabricante:
Página oficial IMW65R010M2H – Infineon Technologies

📄 Datasheet Oficial: Download Datasheet IMW65R010M2H

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